[发明专利]一种厚钨涂层材料的制备方法及钨涂层材料无效
申请号: | 201210191618.1 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN103484830A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 练友运;刘翔;宋久鹏;于洋 | 申请(专利权)人: | 核工业西南物理研究院;厦门虹鹭钨钼工业有限公司 |
主分类号: | C23C16/14 | 分类号: | C23C16/14;B32B15/01 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅;高爽 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种厚钨涂层材料的制备方法,用化学气相沉积法,通过氢气还原六氟化钨,在基层材料上沉积钨涂层。沉积速率为0.4-1mm/h,钨涂层厚度大于等于1mm。本发明还涉及一种钨涂层材料,包括纯铜或铜合金、适配层、以及钨涂层;适配层为1-5层的钨铜梯度材料,每层厚度为0.5-1.5mm;紧邻钨涂层一侧,钨铜梯度材料钨含量为50~90wt.%;中间各层钨铜梯度材料钨含量依次递减,铜含量依次递增;紧邻纯铜或铜合金一侧,钨铜梯度材料铜含量为50~90wt.%。本发明采用纯钨涂层-适配层-铜基材料方法,适配层可以解决钨和铜之间热膨胀系数不匹配的问题,减小涂层与基体的热应力。 | ||
搜索关键词: | 一种 涂层 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种厚钨涂层材料的制备方法,其特征在于:用化学气相沉积法,通过氢气还原六氟化钨,在基层材料上沉积钨涂层;六氟化钨和氢气纯度分别大于99.9%和99.99%;六氟化钨和氢气流量比为1:2~1:5;沉积温度范围为500℃‑700℃,沉积速率为0.4mm/h‑1mm/h,钨涂层厚度大于等于1mm。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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