[发明专利]一种厚钨涂层材料的制备方法及钨涂层材料无效

专利信息
申请号: 201210191618.1 申请日: 2012-06-12
公开(公告)号: CN103484830A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 练友运;刘翔;宋久鹏;于洋 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院;厦门虹鹭钨钼工业有限公司
主分类号: C23C16/14 分类号: C23C16/14;B32B15/01
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅;高爽
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种厚钨涂层材料的制备方法,用化学气相沉积法,通过氢气还原六氟化钨,在基层材料上沉积钨涂层。沉积速率为0.4-1mm/h,钨涂层厚度大于等于1mm。本发明还涉及一种钨涂层材料,包括纯铜或铜合金、适配层、以及钨涂层;适配层为1-5层的钨铜梯度材料,每层厚度为0.5-1.5mm;紧邻钨涂层一侧,钨铜梯度材料钨含量为50~90wt.%;中间各层钨铜梯度材料钨含量依次递减,铜含量依次递增;紧邻纯铜或铜合金一侧,钨铜梯度材料铜含量为50~90wt.%。本发明采用纯钨涂层-适配层-铜基材料方法,适配层可以解决钨和铜之间热膨胀系数不匹配的问题,减小涂层与基体的热应力。
搜索关键词: 一种 涂层 材料 制备 方法
【主权项】:
一种厚钨涂层材料的制备方法,其特征在于:用化学气相沉积法,通过氢气还原六氟化钨,在基层材料上沉积钨涂层;六氟化钨和氢气纯度分别大于99.9%和99.99%;六氟化钨和氢气流量比为1:2~1:5;沉积温度范围为500℃‑700℃,沉积速率为0.4mm/h‑1mm/h,钨涂层厚度大于等于1mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业西南物理研究院;厦门虹鹭钨钼工业有限公司,未经核工业西南物理研究院;厦门虹鹭钨钼工业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210191618.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top