[发明专利]一种磁场辅助的硅微纳加工工艺及装备无效
| 申请号： | 201210192208.9 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102732885A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;史铁林;孙博;盛文军;张康;汤自荣;夏奇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/44;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁场辅助的硅微纳加工工艺，具体为：在单晶硅片上旋涂光刻胶，由光刻得到所需微纳尺度图案；在所得样品表面依次镀上金属膜A、B和A，金属膜A为金或银，金属膜B为铁；采用HF和H2O2的混合溶液作为刻蚀剂对单晶硅片进行金属催化刻蚀，反应处于强度和方向可调的磁场环境中；去除光刻胶和残留的金属膜，并清洗干净。本发明还提供了实现上述工艺的装备，包括储液装置、溶液流量控制装置、反应密封腔、电磁场控制系统以及计算机控制系统。本发明在刻蚀反应中引入磁场，通过磁场对铁膜的吸引作用诱导金属膜沿磁场方向运动，刻蚀反应沿着磁场方向进行，从而实现了刻蚀方向的可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 辅助 硅微纳 加工 工艺 装备 | ||
【主权项】：
一种磁场辅助的硅微纳加工工艺，包括以下步骤：1）在单晶硅片上旋涂光刻胶，并在光刻胶上光刻微纳尺度图案；2）在光刻胶表面依次镀上金属膜A、B和A，金属膜A为金或银，金属膜B为铁；3）将单晶硅片置于磁场强度和方向可调的磁场环境中，采用HF和H2O2的混合溶液作为刻蚀剂对单晶硅片进行金属催化刻蚀；4）去除光刻胶和残留的金属膜，并清洗干净。
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