[发明专利]一种低电感元件的制造方法无效
| 申请号： | 201210192359.4 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489604A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 徐敖金 | 申请（专利权）人： | 徐敖金 |
| 主分类号： | H01F41/00 | 分类号： | H01F41/00;H01F1/047;H01F17/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213234 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低电感元件的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：A、将50wt％高磁通合金磁粉、50wt％低磁通合金磁粉混合形成导磁材料；B、将所述线圈和磁棒置入注射成型机上预设的模具内；C、加温到80-350℃，使所述导磁材料成为流体，射入模具内后凝结成型，将线圈和磁棒的周围均匀地完全包覆，脱模即可。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电感 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低电感元件的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：A、将50wt％高磁通合金磁粉、50wt％低磁通合金磁粉混合形成导磁材料； B、将所述线圈和磁棒置入注射成型机上预设的模具内；C、加温到80‑350℃，使所述导磁材料成为流体，射入模具内后凝结成型，将线圈和磁棒的周围均匀地完全包覆，脱模即可。
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