[发明专利]一种基于喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作工艺在审
申请号: | 201210192601.8 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN102738017A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 罗育光;郭小伟;崔梦;马勉之;谌世广 | 申请(专利权)人: | 华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,属于集成电路封装技术领域;本发明先在框架上用喷砂的方法形成凹槽,然后采用二次塑封的方法,在一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构,使集成电路框架与塑封体结合更加牢固,不受外界环境影响,直接提高产品的封装可靠性,同时,简单易行,生产效率高,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 喷砂 aaqfn 产品 二次 塑封 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种基于喷砂的AAQFN产品的二次塑封制作工艺,其特征在于:先在框架上用喷砂的方法形成凹槽,然后采用二次塑封的方法,具体制作工艺按照如下步骤进行:第一步、晶圆减薄;晶圆减薄厚度为50μm~200μm,粗糙度Ra 0.10um~0.30um;第二步、划片;第三步、采用粘片胶上芯;第四步、压焊;第五步、采用传统塑封料进行一次塑封;第六步、后固化;第七步、框架背面喷砂形成凹槽;用喷砂的方法在框架背面形成凹槽,深度控制在框架厚度的一半以内;第八步、二次塑封;第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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