[发明专利]隧道FET及其形成方法有效
| 申请号： | 201210193105.4 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103117306A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;戈本·多恩伯斯;马提亚斯·帕斯拉克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 隧道场效应晶体管（TFET）包括栅电极、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域具有相反的导电类型。沟道区域设置在源极区域和漏极区域之间。源极扩散势垒设置在沟道区域和源极区域之间。源极扩散势垒和源极区域位于栅电极下方并与栅电极重叠。源极扩散势垒的第一个带隙大于源极区域、漏极区域和沟道区域的第二带隙。本发明还提供了隧道FET及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 fet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种隧道场效应晶体管（TFET），包括：栅电极；源极区域；漏极区域，其中，所述源极区域和所述漏极区域具有相反的导电类型；沟道区域，位于所述源极区域和所述漏极区域之间；以及源极扩散势垒，位于所述沟道区域和所述源极区域之间，其中，所述源极扩散势垒和所述源极区域位于所述栅电极下方并且与所述栅电极重叠，以及其中，所述源极扩散势垒的第一带隙大于所述源极区域、所述漏极区域和所述沟道区域的第二带隙。
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