[发明专利]一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法有效
| 申请号： | 201210193466.9 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102719887A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李亮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;C23C16/34;H01L21/205 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法，本发明是在MOCVD设备中进行的，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入MOCVD反应腔内，升温烘烤衬底；通入氨气（NH3）对衬底进行氮化处理；降温至生长温度，同时通入三甲基镓（TMG）、氨气（NH3），采用低压及高V/III生长第一层氮化镓（GaN）优化层，而后升压并降低V/III生长第二层高质量GaN外延薄膜。本发明的优点：方法简单易行，生长周期短，材料性能好，是实现GaN外延薄膜高质量、低成本生长的有效解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 衬底 质量 外延 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法，其特征是该方法包括如下步骤：1）选择一衬底（1），该衬底为0001面自支撑氮化镓衬底材料；2）将衬底（1）放入金属有机物化学气相沉积系统内，通入H2，反应室压力为100torr‑200torr，在1050℃‑1100℃下加热3min‑5min，以清洁衬底表面，去除表面沾污；3）反应室温度降至1000℃‑1050℃，通入高纯氨气进行氮化，H2作为载气；反应室压力为300torr‑ 500torr，氮化时间为1min ‑3min；4）将温度降至980‑1020℃，降低反应室压力至50torr‑100torr，继续通入氨气，同时通入三甲基镓，以V/III为3500‑5000外延生长氮化镓优化层（2），厚度200nm；5）将温度保持在980℃，升高反应室压力至300torr‑500torr，继续通入氨气，同时通入三甲基镓，以V/III为1500‑2000外延生长高质量氮化镓外延薄膜（3），厚度1800nm，氢气作为载气。
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