[发明专利]一种氧化铜纳米线的制备方法及其在锂电负极中的应用无效
申请号: | 201210193820.8 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN103482674A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 宋怀河;万文博;陈晓红 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C01G3/02 | 分类号: | C01G3/02;B82Y40/00;H01M4/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明采用热氧化法首先制备出氧化铜纳米线和氧化亚铜的混合物,然后利用浓氨水对其进行后处理,得到纯一维氧化铜纳米线。将一维氧化铜纳米线作为锂离子电池负极材料时,该电极材料在50mA/g的电流密度下,其稳定的比容量高达550mAh/g,为商业化碳电极的1.5倍。电流密度从50mA/g逐渐增大到1A/g,再恢复到50mA/g时,容量保持率在99%。具有良好的循环稳定性和倍率性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化铜 纳米 制备 方法 及其 负极 中的 应用 | ||
【主权项】:
一种氧化铜纳米线的制备方法,其特征在于按下列方法制得:步骤一:将铜箔用稀酸处理后放入马弗炉中,氧化气氛下,300‑600℃保温3‑12h,得到氧化铜和氧化亚铜的混合物。其中氧化铜形貌特征为一维纳米线,直径为100‑250nm,长度为5‑30μm;步骤二:将氧化铜和氧化亚铜的混合物放入浓氨水中,室温下,磁力搅拌3天,得到纯的氧化铜纳米线,其直径在5‑20nm,长度1‑10μm。
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