[发明专利]一种GaN HEMT器件可靠性在片筛选的方法有效
| 申请号： | 201210193942.7 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102721913A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 孔月婵 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N21/88 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种GaNHEMT器件可靠性在片筛选的方法，其特征是首先搭建在片电致发光光谱测试平台,再于暗室中将GaN异质结HEMT器件圆片置于探针台上，将探针分别压在栅、源、漏三个电极之上；使源极接地，漏极加一定的正向偏压，栅极加负向偏压Vgs并使Vgs从夹断电压Vp到0V变化,用光谱测试系统测试GaN异质结HEMT器件的发光强度随栅压的变化关系，取发光强度最大的偏压点Vgsm，在该条件下对器件的发光光谱进行测试，通过对光谱进行分析，实现对器件可靠性的评价。优点：可实现在片筛选，避免了划片、封装等一系列可靠性筛选的准备工序，同时无需长时间加电应力，缩短可靠性筛选的时间，节约成本，工作效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 可靠性 筛选 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件可靠性在片筛选的方法，通过测量电致发光强度和光谱实现高可靠性器件的筛选，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、搭建GaN HEMT器件在片电致发光光谱测试平台并置于暗室；二、基于上述测试平台测试漏压Vdsc,GaN HEMT器件发光强度随栅压Vgs的变化关系；三、取发光强度最大的偏压点Vgsm作为偏置条件进行发光图像采集以及光谱测试；四、对获得的发光图像及发光光谱进行分析，实现对器件可靠性的评价。
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