[发明专利]微纳米透镜片辅助聚光光刻工艺制备有序微纳米结构无效
申请号: | 201210195658.3 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN102701143A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 吴奎;蓝鼎 | 申请(专利权)人: | 吴奎;蓝鼎 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430056 湖北省武汉经济技*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明一种微纳米透镜片辅助聚光光刻工艺,这一工艺实现了有序微纳米结构的制备。在基片上覆盖微纳米透镜片作为聚光掩膜,利用微纳米透镜片上的有序微纳米半球对光的聚集作用,对光刻胶曝光。该工艺克服了纳米球光刻工艺中,需要重复组装微纳米球所导致的产业化困难、工艺效率低下以及由此产生的质量不可控等缺点。该工艺在图形转移上高度可控、图形高度精确有序、图形花样多样、操作简单、成本低廉便于工业化生产。在制备纳米图形衬底、量子点、等离子体、网孔电极、光子晶体和微纳米器件等上有很好的应用前景。能广泛应用于LED、LD、HEMT、量子点存储器、太阳能电池、燃料电池双极板、微流控器件等半导体光电子器件微纳米结构制造。 | ||
搜索关键词: | 纳米 透镜 辅助 聚光 光刻 工艺 制备 有序 结构 | ||
【主权项】:
微纳米透镜片辅助聚光光刻工艺制备有序微纳米结构,包括以下步骤:步骤1)在一基底10上涂一层光刻胶11;步骤2)在光刻胶11上,放置一个微纳米透镜片12;步骤3)用光照13曝光;步骤4)显影之后在光刻胶11表面形成纳米网孔;步骤5)通过湿法或者干法将图形转移到基底10。
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