[发明专利]用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件有效
| 申请号： | 201210195820.1 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832117A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | S·W·贝德尔;D·A·萨达纳;D·沙杰迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/076 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 鲍进 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开涉及用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件。具体地，提供了一种包括设置具有锗和锡合金层的锗基板的切割半导体材料的方法。应力体层被沉积于锗基板的表面上。来自应力体层的应力被施加到锗基板，其中，应力切割锗基板以提供切割表面。然后对于锗基板的锗和锡合金层选择锗基板的切割表面。在另一实施例中，锗和锡合金层可用作剥离方法中的断裂面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 多结光生伏打 结构 剥离 方法 光生伏打 器件 | ||
【主权项】：
一种切割半导体材料的方法，包括：设置锗基板，其中，锗和锡合金层存在于锗基板内；在锗基板上沉积应力体层；从应力体层向锗基板施加应力，其中，应力切割锗基板以提供切割表面，其中，锗和锡合金层存在于应力体层与锗基板的切割表面之间；和对于锗基板的锗和锡合金层选择性地进行锗基板的切割表面的蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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