[发明专利]多结异质量子点阵列及其制备方法和多结异质量子点太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210195987.8 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN103489939A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 唐晓慧;代冰;朱共山 | 申请(专利权)人: | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/0745;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 肖明芳 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多结异质量子点阵列及其制备方法,包括交错排列的硅量子点层和锗量子点层。本发明的多结异质量子点阵列制作工艺简单,能实现工业化生产,有效降低生产成本。本发明还公开了一种利用多结异质量子点阵列制备的多结异质量子点太阳能电池及其制备方法。本发明的多结异质量子点太阳能电池主要以无毒耐用丰富的硅为主要原料和当前硅太阳能生产线为基础。按照本方案执行后,太阳能芯片的转换效率将有突破性的增加,转换效率大于31%,而且能实现生产成本降低到0.5美元/瓦的目标,此电价与电网电价持平。 | ||
搜索关键词: | 多结异 质量 阵列 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种多结异质量子点阵列,其特征在于,包括交错排列的硅量子点层和锗量子点层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的