[发明专利]半导体元件、其制造方法、显示装置和电子装置无效
申请号: | 201210196100.7 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN102842674A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 小野秀树;秋山龙人 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L27/32;H01L51/40 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体元件、其制造方法、显示装置和电子装置,该半导体元件包括:有机半导体层;电极,其配置在有机半导体层上,以与有机半导体层接触;以及布线层,其独立于电极而形成,并电连接至该电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 制造 方法 显示装置 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体元件,包括:有机半导体层;电极,其配置在所述有机半导体层上,以与所述有机半导体层接触;以及布线层,其独立于所述电极而形成,并电连接至所述电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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