[发明专利]用于受控层传送的方法有效
| 申请号： | 201210196194.8 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832115A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | S·W·贝德尔;K·E·佛格尔;P·A·劳罗;D·A·萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及受控层传送的方法。该方法包括向基底基板提供应激层。应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分。然后，在基底基板的应激层部分上面施加散裂抑制体，然后，从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分。然后从原始的基底基板散裂位于应激层部分下面的基底基板的一部分。散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体。在散裂之后，从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 受控 传送 方法 | ||
【主权项】：
一种用于受控层传送的方法，包括：向基底基板提供应激层，所述应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分；在应激层的应激层部分上面施加散裂抑制体；从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分；散裂应激层部分下面的基底基板的一部分，其中，所述散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体；和从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
