[发明专利]一种离子注入的阻挡层制作方法有效
| 申请号： | 201210196951.1 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103488045A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入阻挡层的制作方法，该方法在光刻胶上方加入光学敏感型顶部抗反射层，在曝光和显影形成光刻图案的步骤中，增加光刻胶曝光区域与光学敏感型顶部抗反射层接触部分的溶解度，在其侧壁顶端呈圆弧状的阻挡层，减轻了后续离子注入过程中由于离子注入角度造成的阴影效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 阻挡 制作方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入阻挡层的制作其特征在于，该方法包括：在光刻胶上方加入光学敏感型顶部抗反射层，在曝光和显影形成光刻图案的步骤中，增加光刻胶曝光区域与光学敏感型顶部抗反射层接触部分的溶解度，在其侧壁顶端呈圆弧状的阻挡层。
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