[发明专利]一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210197505.2 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102683377A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 郭晓雷;金湘亮 | 申请（专利权）人： | 湖南追日光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L21/82 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所 43108 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 410011 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管及其制作方法，包括P型衬底，两个n+漏极掺杂区，n+源极掺杂区，p+衬底接触掺杂区，多晶硅栅极，二氧化硅氧化层，先在P型衬底上生成二氧化硅氧化层和多晶硅栅极，然后在多晶硅栅极两侧分别生成源极n+重掺杂区和漏极n+重掺杂区以及p+衬底接触掺杂区，其中漏极n+重掺杂区分为两个相同区域，中间间隔一定距离。这种双漏极结构可利用磁场对晶体管下方形成的反型层中载流子的作用来实现对磁场的感应，与标准CMOS工艺完全兼容，同时相比霍尔盘结构的磁传感器有更低的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双漏极型 cmos 磁场 感应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管，其特征在于：包括P型衬底，两个n+漏极掺杂区，n+源极掺杂区，多晶硅栅极，二氧化硅氧化层，先在P型衬底上生成二氧化硅氧化层和多晶硅栅极，然后在多晶硅栅极两侧分别生成源极n+重掺杂区和漏极n+重掺杂区，以及p+衬底接触掺杂区，多晶硅栅极的长度为L，源极n+重掺杂区的宽度为W，其中漏极n+重掺杂区分为两个相同区域，中间间隔为d。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
