[发明专利]一种基于磁电阻效应的新型应力传感器无效

专利信息
申请号: 201210197717.0 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN102692287A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 许小勇;张丽娟;朱洁;苏垣昌;胡经国 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: G01L1/12 分类号: G01L1/12
代理公司: 南京中新达专利代理有限公司 32226 代理人: 孙鸥;朱杰
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种基于磁电阻效应的新型应力传感器。本发明技术方案为上面一层是上铁磁层,中间一层是非磁层,下面一层是下铁磁层,包裹层将上述部分包裹,导线穿过包裹层与上铁磁层连接,其另一端串联连接指示灯、电流表、电源,再穿过包裹层与下铁磁层连接,且上铁磁层、下铁磁层的磁致伸缩系数的符号相反、磁致伸缩系数大、具有同样小的各向异性能指标。本发明解决了现有应力传感器存在的对外部环境敏感、抗疲劳性差、结构复杂、微型化很困难、成本高、灵敏度和精确度无法满足需要等缺陷。本发明电路设计简单、工艺成熟、反应灵敏,可直接量化标度。
搜索关键词: 一种 基于 磁电 效应 新型 应力 传感器
【主权项】:
一种基于磁电阻效应的新型应力传感器,其特征在于上面一层是上铁磁层,中间一层是非磁层,下面一层是下铁磁层,包裹层将上述部分包裹,导线穿过包裹层与上铁磁层连接,其另一端串联连接指示灯、电流表、电源,再穿过包裹层与下铁磁层连接。
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