[发明专利]3维阵列式金属-质子导体高聚物同轴纳米线单电极及有序化膜电极与制备无效

专利信息
申请号: 201210197931.6 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN102723500A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 木士春;李怀光;张潇 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01M4/86 分类号: H01M4/86;H01M4/88;H01M8/10;B82Y30/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 张安国;伍见
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种3维阵列式金属-质子导体高聚物同轴纳米线单电极及有序化膜电极与制备。其质子导体高聚物具有3D结构,由质子交换膜及其一侧定向生长着的质子导体高聚物纳米线组成;其单电极由纳米金属薄膜层包敷在有序化质子导体高聚物纳米线表面形成;其膜电极由两个单电极的质子交换膜一侧相向粘结而成。本发明优点:1、有序化和导质子高聚物纳米线为活性金属合金或单质的载体,提高了催化剂的抗腐蚀能力和使用寿命;2、催化剂贵金属可均匀的包裹在质子导体高聚物纳米线表面,提高了催化剂性能和催化剂金属利用率;3)质子导体高聚物是质子导体,且具序3D结构,合成的催化剂层亦具有较强导质子功能;4)实现了膜电极的有序化,有利于水的输运与传质。
搜索关键词: 阵列 金属 质子 导体 高聚物 同轴 纳米 电极 有序 制备
【主权项】:
一种金属‑质子导体高聚物单电极,其特征在于:该单电极金属‑质子导体高聚物具有3维同轴结构。
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