[发明专利]具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽双扩散金属氧化物半导体器件的制备有效
| 申请号： | 201210198156.6 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102723277A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;戴嵩山;常虹;陈军 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州94*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及提出了一种半导体器件的制备方法。器件的制备方法包括：在半导体层中制备；用绝缘材料填充沟槽；除去所选的部分绝缘材料，留下在沟槽底部的一部分绝缘材料；在剩余部分沟槽的一个或多个侧壁上，制备一个或多个隔片；使用一个或多个隔片作为掩膜，各向异性地刻蚀沟槽底部的绝缘材料，以便在绝缘物中形成沟槽；除去隔片；并用导电材料填充绝缘物中的沟槽。还可选择，在沟槽的侧壁和底部，形成一个氧化物-氮化物-氧化物（ONO）结构，并在没有被ONO结构占用的部分沟槽中，形成一个或多个导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 底部 屏蔽 氧化物 沟槽 扩散 金属 半导体器件 制备 | ||
【主权项】：
一种用于制备半导体器件的方法，其特征在于，包括： 步骤a：在半导体层中制备一个沟槽；步骤b：在沟槽的侧壁和底部，形成一个氧化物‑氮化物‑氧化物结构，其中氧化物‑氮化物‑氧化物结构含有一个位于第一和第二氧化层之间的氮化层；以及步骤c：在没有被氧化物‑氮化物‑氧化物结构占用的一部分沟槽中，形成一个或多个导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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