[发明专利]低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210198843.8 | 申请日： | 2012-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102709333A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吴贵松;刘宗永;许晓鹏 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管及其制造方法，该低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管包括壳体及沿壳体两端引出的引线，其还包括设于壳体内的瞬态电压抑制二极管管芯、整流二极管管芯、数个铝片层及两个钼电极，该瞬态电压抑制二极管管芯与整流二极管管芯之间串联连接，数个铝片层分别设于瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯的两个侧面上，该瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯还分别与一钼电极相连接，该两钼电极分别与一引线相连接。本发明制作的低电容硅瞬态电压抑制二极管同时具有瞬态电压抑制二极管和整流管的功能，不仅体积小、重量轻、制作成本较低，且具有低结电容的显著优点，尤其适合在高频线路做保护器件使用。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 玻璃 实体 封装 瞬态 电压 抑制 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管，包括壳体及沿壳体两端引出的引线，其特征在于，还包括设于壳体内的瞬态电压抑制二极管管芯、整流二极管管芯、数个铝片层及两个钼电极，该瞬态电压抑制二极管管芯与整流二极管管芯之间串联连接，数个铝片层分别设于瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯的两个侧面上，该瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯还分别与一钼电极相连接，该两钼电极分别与一引线相连接。
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