[发明专利]一种用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统

摘要

本发明公开了一种用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统。所述供给系统包括分别通过载气进气管与气源相连的标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路；所述标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路分别通过MO源出气管与Run/Vent切换回路相连；所述气源通过管道与Run/Vent切换回路相连。以上述的标准管路为基础，针对每种MO源工艺需求摩尔流量以及蒸汽压的不同采用了不同的管路设计，实现了对每种MO源注入摩尔流量的精确控制。本发明特别适合于UV-LED,UV-LD的GaN及其相关材料生长的MOCVD设备系统。

主权项

一种用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统，其特征是，包括分别通过载气进气管与气源（3）相连的标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路；所述标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路分别通过MO源出气管与Run/Vent切换回路（1）相连；所述气源通过管道与Run/Vent切换回路（1）相连；所述标准管路包括源瓶部件，该源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器（18），该源瓶部件的MO源出气管上装有压力控制器（19）；所述双稀释管路包括源瓶部件，该源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器（28），该源瓶部件的MO源出气管分为两支，一支通过压力控制器（29）与一干泵（2）相连，另一支通过质量流量控制器（212）与Run/Vent切换回路（1）相连；所述双稀释管路的载气进气管通过质量流量控制器（211）与双稀释管路的MO源出气管相连；所述双重标准管路包括两个源瓶部件，其中一个源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器（38），该源瓶部件的MO源出气管上装有压力控制器（39）；另一个源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器（48），该源瓶部件的MO源出气管上装有压力控制器（49）；所述浓度计管路包括源瓶部件，该源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器（58），该源瓶部件的MO源出气管上串联有浓度计（511）和压力控制器（59）；所述双源瓶串联管路包括两个串联的源瓶部件，一个源瓶部件的MO源出气管与另一个源瓶部件的载气进气管相连，一个源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器（68），另一个源瓶部件的MO源出气管上串联有浓度计（611）和压力控制器（69）。