[发明专利]光感测电路、装置及方法、图像获取装置及光触摸屏装置有效
申请号: | 201210201495.5 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN102904560B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 金暎;宋利宪;田尚勋;安承彦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H03K17/78 | 分类号: | H03K17/78;H01L27/146;G06F3/042;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及光感测电路、装置及方法、图像获取装置及光触摸屏装置。在简化的光感测电路、包括光感测电路的光感测装置、驱动光感测装置的方法、以及包括光感测装置的光触摸屏装置和图像获取装置中,光感测电路包括针对每个像素包括沟道层的氧化物半导体晶体管,该沟道层包含氧化物半导体材料。氧化物半导体晶体管作为感测光的光感测器件和输出光感测数据的开关两者来操作。 | ||
搜索关键词: | 光感测 电路 装置 方法 图像 获取 触摸屏 | ||
【主权项】:
一种光感测电路,包括:包括沟道层的氧化物半导体晶体管,其中沟道层包含氧化物半导体材料,其中氧化物半导体晶体管被配置为作为感测光的光感测器件和响应于所感测的光来输出光感测数据的开关来操作,而不在电容器中累积与入射光相关的电荷,其中,在光感测数据输出后,对于下一个光感测操作,通过对氧化物半导体晶体管施加栅极电压来重置氧化物半导体晶体管,其中,向氧化物半导体晶体管提供第一电压、第二电压和第三电压,第一电压低于第一门限电压,第二电压处于第一门限电压和第二门限电压之间,第三电压是正的,其中,第一门限电压是当光入射到氧化物半导体晶体管上时氧化物半导体晶体管的门限电压,第二门限电压是当光没有入射到氧化物半导体晶体管上时氧化物半导体晶体管的门限电压,其中,第一电压、第二电压、第一电压和第三电压顺序地施加到氧化物半导体晶体管上,并且第三电压是重置氧化物半导体晶体管的重置信号。
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