[发明专利]太阳能电池扩散方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池扩散方法，其特征在于它包括以下工艺步骤：步骤一、第一次氧化；步骤二、扩散；步骤三、第二次氧化。且步骤二扩散分为第一次扩散、第二次扩散以及第三次扩散。本发明太阳能电池扩散方法，以P型硅片为扩散源衬底，扩散阶段经过三步分步扩散，小氮和氧气的通入流量从大到小，通入时间从长到短，将三步的磷源浓度由高到低驱入衬底，使得表面浓度逐渐减少，降低表面复合及缺陷浓度，并形成梯度掺杂，拓宽P-N结区的宽度，提高开路电压；同时较深的结深，可以降低串联电阻，提升太阳电池转换效率。该太阳能电池扩散方法具有无需增加工序，成本较低，能够增加晶体硅太阳电池的转换效率的优点。

主权项

一种太阳能电池扩散方法，其特征在于它包括以下工艺步骤：步骤一、第一次氧化将硅片放入扩散炉中，扩散炉升温到800~820℃，向扩散炉内通入氧气，氧气流量为10~12slm，通入氧气的时间为13~15min，对硅片表面进行第一次氧化反应；步骤二、扩散2.1、第一次扩散扩散炉升温到835~845℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为1.0~1.2slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为1.2~1.5slm，通入混合气体的时间为5~7min，在硅片表面进行第一次扩散反应；2.2、第二次扩散扩散炉升温到845~855℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为0.8~1.0 slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为1.0~1.2slm，通入混合气体的时间为4~6min，在硅片表面进行第二次扩散反应；2.3、第三次扩散扩散炉升温到855~865℃，向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体，所述小氮的流量为0.6~0.8 slm，所述大氮的流量为8 ~10 slm，所述氧气的流量为0.8~1.0slm，通入混合气体的时间为3~5min，在硅片表面进行第三次扩散反应；步骤三、第二次氧化扩散炉升温到860~880℃，向扩散炉内通入大氮以及氧气组成的混合气体，所述大氮的流量为8 ~12slm，所述氧气的流量为10~13slm，通入混合气体的时间为3~5min，在硅片表面进行第二次氧化反应。