[发明专利]一种基于Abbe矢量成像模型的光源-掩模交替优化方法有效

专利信息
申请号: 201210201573.1 申请日: 2012-06-18
公开(公告)号: CN102707563A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 马旭;李艳秋;韩春营;董立松 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G03F1/30 分类号: G03F1/30
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 李爱英;杨志兵
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种基于Abbe(阿贝)矢量成像模型的光源-掩模交替优化方法,本方法设置光源图形像素值和掩模中开口部分以及阻光部分的透射率,设置变量矩阵ΩS和ΩM,将目标函数D构造为目标图形与当前光源和掩模对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方;利用变量矩阵ΩS和ΩM以及目标函数D引导光源和掩模图形的交替优化过程。较之传统的光源单独优化或掩模单独优化以及光源-掩模同步优化,本发明所涉及的方法能够更为有效的提高光刻系统的分辨率。同时采用本发明优化后的光源和掩模不但适用于小NA的情况,也适用于NA>0.6的情况。另外本发明利用优化目标函数的梯度信息,结合最陡速降法对光源图形和掩模图形进行优化,优化效率高。
搜索关键词: 一种 基于 abbe 矢量 成像 模型 光源 交替 优化 方法
【主权项】:
1.一种基于Abbe矢量成像模型的光源-掩模交替优化方法,其特征在于,具体步骤为:步骤101、将光源初始化为大小为NS×NS的光源图形J,将掩模图形M初始化为大小为N×N的目标图形其中NS和N为整数;步骤102、设置初始光源图形J上发光区域的像素值为1,不发光区域的像素值为0;设定NS×NS的变量矩阵ΩS:当J(xs,ys)=1时,当J(xs,ys)=0时,其中J(xs,ys)表示光源图形上各像素点(xs,ys)的像素值;设置初始掩模图形M上开口部分的透射率为1,阻光区域的透射率为0;设定N×N的变量矩阵ΩM:当M(x,y)=1时,当M(x,y)=0时,其中M(x,y)表示掩模图形上各像素点(x,y)的透射率;令二值掩模图形Mb的初始值为M;步骤103、将目标函数D构造为目标图形与当前光源图形和掩模图形对应的光刻胶中成像之间的欧拉距离的平方,即其中为目标图形各像素点的像素值,Z(x,y)表示利用Abbe矢量成像模型计算当前光源图形和掩模图形对应的光刻胶中成像各像素点的像素值;步骤104、计算目标函数D对于变量矩阵ΩS的梯度矩阵将光源图形上各像素点的像素值之和Jsum近似为给定常数,得到梯度矩阵的近似值利用最陡速降法更新变量矩阵ΩS,更新ΩS其中为预先设定的光源优化步长,获取对应当前ΩS的光源图形J,J(xs,ys)=12[1+cosΩS(xs,ys)];]]>步骤105、计算当前光源图形J和二值掩模图形Mb对应的目标函数D的值;当该值小于预定阈值或者更新变量矩阵ΩS的次数达到预定上限值KS时,进入步骤106,否则返回步骤104;步骤106、计算目标函数D对于变量矩阵ΩM的梯度矩阵利用最陡速降法更新变量矩阵ΩM,更新ΩM其中为预先设定的掩模优化步长,获取对应当前ΩM的掩模图形M,更新对应当前M的二值掩模图形Mbtm为预定参数;步骤107、计算当前光源图形J和二值掩模图形Mb对应的目标函数D的值;当该值小于预定阈值或者更新变量矩阵ΩM的次数达到预定上限值KM时,进入步骤108,否则返回步骤106;步骤108、计算当前光源图形J和二值掩模图形Mb对应的目标函数D的值;当该值小于预定阈值或者更新交替变量矩阵ΩS和ΩM的次数达到预定上限值KS-M时,进入步骤109,否则返回步骤104;步骤109,终止优化,并将当前光源图形J和二值掩模图形Mb确定为经过优化后的光源图形和掩模图形。
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