[发明专利]具有电流扩展层的发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210202007.2 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102738334A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 叶孟欣;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电流扩展层的发光二极管，此发光二极管至少包含：由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层；在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；其中，所述n侧层由非本征掺杂缓冲层及复合式多电流扩展层依次层叠构成；所述复合式多电流扩展层由第一电流扩展层、第二电流扩展层及第三电流扩展依次层叠构成；所述第一电流扩展层及第三电流扩展层由u型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层交互叠层而成，所述第二电流扩展层是在n型氮化物半导体层形成的分布绝缘层；所述第一电流扩展层与所述非本征掺杂缓冲层毗邻，所述第三电流扩展层与所述活性层毗邻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 扩展 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
具有电流扩展层的发光二极管，包含： 由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层；在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；其特征在于：所述n侧层由非本征掺杂缓冲层及复合式多电流扩展层依次层叠构成；所述复合式多电流扩展层由第一电流扩展层、第二电流扩展层及第三电流扩展依次层叠构成；所述第一电流扩展层及第三电流扩展层由u型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层交互叠层而成，所述第二电流扩展层是在n型氮化物半导体层形成的分布绝缘层；所述第一电流扩展层与所述非本征掺杂缓冲层毗邻，所述第三电流扩展层与所述活性层毗邻。
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