[发明专利]垂直金属/绝缘层/金属MIM电容及其制造方法有效
| 申请号： | 201210202078.2 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103515350A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直金属/绝缘层/金属MIM电容，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，该凹槽停止在某一下层金属之上；所述两个凹槽之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；在该电容的绝缘层两侧分别形成的一金属层，该金属层构成所述电容的两个金属导电极，形成完整的垂直金属/绝缘层/金属MIM电容结构；在位于所述金属层下端的所述某一下层金属引出所述电容的两端电极。本发明还公开了一种所述垂直金属/绝缘层/金属MIM电容的制造方法。当制作电容量比较大的电容时，采用本发明能避免加大芯片面积，且能保持电容的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 金属 绝缘 mim 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直金属/绝缘层/金属MIM电容，其特征在于，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，该凹槽停止在某一下层金属之上；所述两个凹槽之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；在该电容的绝缘层两侧分别形成的一金属层，该金属层构成所述电容的两个金属导电极，形成完整的垂直金属/绝缘层/金属MIM电容结构；在位于所述金属层下端的所述某一下层金属引出所述电容的两端电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210202078.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
