[发明专利]一种高纯碳化硅原料的制备方法有效
| 申请号： | 201210202086.7 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103508454A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;王辉;孔海宽;忻隽;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 彭茜茜 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800-1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 碳化硅 原料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯碳化硅原料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400‑2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600‑1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800‑1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。
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