[发明专利]可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统及方法无效

专利信息
申请号: 201210202193.X 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN102707583A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超;熊展;章帅 申请(专利权)人: 杭州士兰明芯科技有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B27/10
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 310018 浙江省杭州市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统,包括沿着主光轴方向由前至后依次设置的激光光源、扩束准直系统、分束合光装置以及用于承载晶片的晶片固定装置,激光光源发出的光束经扩束准直系统后进入分束合光装置,分束合光装置将接收到的光束分光后再汇集到晶片固定装置上。还提供了一种多光束曝光方法。本发明结构简单,其利用光束干涉原理曝光,无需掩膜版,故具有较高的成本优势;其通过控制各电动快门的开关和各反射镜的角度能够实现任意数量光束的多光束曝光,增强系统功能;其既可用于简单的光子晶体的制作,又可通过增加分束合光装置的数量和相应的光强衰减器及电动快门以满足更复杂结构的光子晶体的制作。
搜索关键词: 用于 制作 光子 晶体 掩膜层 光束 曝光 系统 方法
【主权项】:
一种可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统,其特征在于,包括沿着主光轴方向由前至后依次设置的激光光源、扩束准直系统、分束合光装置以及用于承载晶片的晶片固定装置,所述激光光源发出的光束经所述扩束准直系统后进入所述分束合光装置,所述分束合光装置将接收到的光束分光后再汇集到所述晶片固定装置上。
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