[发明专利]一种磁性形状记忆合金及其制备方法无效
| 申请号： | 201210203439.5 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102719721A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 董桂馥;张宏剑;孙娜;张秀玲 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;H01F1/053 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116622 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁性形状记忆合金，其合金的化学组成按原子百分比为45.4份Ni、41.5份Mn、11.1份In和2份Gd；其合金的断裂强度为2201MPa，马氏体开始相变温度为557℃。本发明制备的合金断裂强度在2201MPa，比现有Ni45.4Mn41.4In13.1Gd0.1合金提高约1820MPa；合金的马氏体开始相变温度为557℃，比现有Ni45.4Mn41.4In13.1Gd0.1合金提高了约200℃，并且其相变滞后约为150℃；合金的断裂应变为现有Ni45.4Mn41.4In13.1Gd0.1合金的断裂应变提高了200%，本发明制备的Ni45.4Mn41.5In11.1Gd2合金韧性大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 形状 记忆 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性形状记忆合金，其合金的化学组成按原子百分比为45.4份Ni、41.5份Mn、11.1份In和2份Gd；其合金的断裂强度为2201MPa，马氏体开始相变温度为557℃。
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