[发明专利]氧化层、HKMG结构中界面层、MOS晶体管形成方法及MOS晶体管有效
| 申请号： | 201210203540.0 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103515207A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种HKMG结构中位于半导体衬底和高K介质层之间的界面层形成方法，包括：a）提供半导体衬底；b）采用包含羟基的反应气体与所述衬底表面接触，所述反应气体中的羟基与衬底表面的原子通过化学键结合形成中间物质；c）清除所述反应气体；d）对所述衬底进行退火，去除所述中间物质中的氢元素，在所述衬底表面形成原子层；e）重复步骤b）-步骤d），直至所述原子层的堆积厚度达到所述界面层的目标厚度，得到所述界面层。本发明实施例采用层层堆积的形式形成界面层，较现有技术，该界面层的致密度和均匀度更好，在相同的栅介质层厚度情况下，本发明实施例中的栅介质层的介电常数更大。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 hkmg 结构 界面 mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种HKMG结构中界面层形成方法，所述界面层位于半导体衬底和高K介质层之间，其特征在于，包括：a）提供半导体衬底；b）采用包含羟基的反应气体与所述衬底表面接触，所述反应气体中的羟基与衬底表面的原子通过化学键结合形成中间物质；c）清除所述反应气体；d）对所述衬底进行退火，去除所述中间物质中的氢元素，在所述衬底表面形成原子层；e）重复步骤b）‑步骤d），直至所述原子层的堆积厚度达到所述界面层的目标厚度，得到所述界面层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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