[发明专利]光学临近效应修正方法

摘要

本发明公开了一种光学临近效应修正方法，流程为：1）制作两块测试光刻版，第一块放置前层形貌图形；第二块放置后层OPC测试图形；2）对第二块光刻版涂胶曝光显影，收集光刻工艺关键尺寸的数值，建立OPC模型；3）对第一块光刻版涂胶曝光显影，产生前层图形形貌；4）对第二块光刻版涂胶曝光显影，收集光刻工艺关键尺寸的数值，建立SSA算法，表征不同区域要增加的偏离值；5）在有形貌的区域根据偏离值重做OPC修正。该方法先建立正常OPC模型，当大面积形貌或衬底变化后，再次采集OPC测试图形的数据，建立SSA表格，对有形貌的区域重做OPC修正，如此避免了大面积形貌或衬底变化引起的光刻线宽的漂移和芯片面积的浪费。

主权项

一种光学临近效应修正方法，其特征在于，包括以下步骤：1）制作两块测试光刻版，第一块放置前层图形，所述前层图形为产生形貌或膜层变化的图形；第二块放置后层OPC测试图形；2）按照工艺顺序准备硅片，在没有形貌的硅片上，对第二块光刻版进行涂胶、曝光、显影，收集光刻工艺的关键尺寸的数值，根据收集到的光刻工艺数值建立OPC模型；3）按照工艺顺序准备硅片，在没有形貌的硅片上，对第一块光刻版进行涂胶、曝光、显影，产生前层图形的形貌；4）再对第二块光刻版进行涂胶、曝光、显影，收集光刻工艺的关键尺寸的数值，并根据收集到的光刻工艺关键尺寸的数值，建立选择性偏离算法，表征在不同的区域需要增加的偏离值；5）在没有形貌的区域使用步骤2）建立的OPC；在有形貌的区域，根据步骤4）计算得到的偏离值重新进行OPC修正。