[发明专利]硅基微环谐振器中耦合损耗的计算方法无效

专利信息
申请号: 201210204101.1 申请日: 2012-06-20
公开(公告)号: CN102692784A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 左宝君;胡海力;范志刚;陈守谦;刘建军 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G02F3/00 分类号: G02F3/00;G02F1/365
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 硅基微环谐振器中耦合损耗的计算方法,涉及一种基于逐步近似法的TE模式的硅基微环谐振器耦合损耗的计算方法。鉴于目前没有针对硅基微环谐振器的耦合损耗计算方法的问题,本发明的硅基微环谐振器中耦合损耗的计算方法,首先利用逐步近似方法,将微环谐振器的环形波导近似为多个相互平行的直线型波导组;然后,利用波导方程和TE模式的边界条件,对波导组分别计算光波在其中的模式转换系数和透射系数,计算在每个波导组由于模式转换效应造成的能量损耗;最终,整个耦合区域的耦合损耗就是每个波导组能量损耗的总和。本发明的耦合损耗计算方法,填补了计算耦合损耗的理论方法的空白。本发明方法用MATLAB即可实现,计算时间快。
搜索关键词: 硅基微环 谐振器 耦合 损耗 计算方法
【主权项】:
硅基微环谐振器中耦合损耗的计算方法,其特征在于所述计算方法如下:首先,利用逐步近似方法,将微环谐振器的环形波导近似为多个相互平行的直线型波导组;然后,利用波导方程和TE模式的边界条件,对波导组分别计算光波在其中的模式转换系数和透射系数,计算在每个波导组由于模式转换效应造成的能量损耗;最终,整个耦合区域的耦合损耗就是每个波导组能量损耗的总和。
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