[发明专利]灰阶光掩膜与制作方法以及以灰阶光掩膜形成沟渠方法有效
| 申请号： | 201210204320.X | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103513508A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 程石良;陈琮瑜 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种灰阶光掩膜，包含有一第一图案以及一第二图案。其中第一图案具有一第一线宽，第二图案具有一第二线宽，且第二图案具有一灰阶密度。本发明另外还提供了一种灰阶光掩膜的制作方法，以及利用此灰阶光掩膜在基板上形成一沟渠的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 灰阶光掩膜 制作方法 以及 形成 沟渠 方法 | ||
【主权项】：
一种灰阶光掩膜，其特征在于，包含：一第一图案，具有一第一线宽；以及一第二图案，具有一第二线宽，其中该第二图案具有一灰阶密度。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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