[发明专利]双扩散漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210204346.4 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103515431A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;黄建豪 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种双扩散漏极金属氧化物半导体(double diffused drain metal oxide semiconductor,DDDMOS)元件及其制造方法。DDDMOS元件形成于基板中，包含第一井区、栅极、扩散区、源极与漏极，且另有一低压元件形成于该基板中，包含第二井区以及轻掺杂漏极区，其中，第一井区与第二井区利用相同制程步骤形成，且扩散区与轻掺杂漏极区利用相同制程步骤形成。如此一来，根据本发明，高压DDDMOS元件，可利用与低压元件相同制程步骤形成。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双扩散漏极金属氧化物半导体元件，形成于一第一导电型基板中，且另有一低压元件形成于该基板中，其特征在于，该双扩散漏极金属氧化物半导体元件包含：一第一井区，具有第二导电型，与该低压元件中的一第二井区，利用相同制程步骤，形成于该基板中；一第一栅极，形成于该基板上，该第一栅极具有在通道方向上相对的一第一侧与一第二侧，其中，部分该第一井区位于相对较靠近该第一侧的该第一栅极下方；一扩散区，具有第一导电型，与该低压元件中的一轻掺杂漏极区，利用相同制程步骤，形成于该基板中，其中，至少部分该扩散区位于该第二侧外的该基板中；以及一第一源极与一第一漏极，皆具有第一导电型，分别形成于该第一侧与该第二侧外的该基板中，由俯视图视之，该第一漏极与该第一栅极间，由部分该扩散区隔开，且该第一源极位于该第一井区中。
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