[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201210204385.4 | 申请日: | 2012-06-20 |
公开(公告)号: | CN102957412B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 边相镇;尹泰植 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H03K19/00 | 分类号: | H03K19/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体装置。所述装置包括传输控制单元,所述传输控制单元被配置成响应于所接收的具有第一脉冲宽度的脉冲信号而产生具有比第一脉冲宽度大的第二脉冲宽度的传输控制信号和具有比第二脉冲宽度大的第三脉冲宽度的同步控制信号。所述装置还包括接收控制单元,所述接收控制单元被配置成响应于同步控制信号而产生接收控制信号。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:传输控制单元,所述传输控制单元被配置成响应于所接收的具有第一脉冲宽度的脉冲信号而产生具有比所述第一脉冲宽度大的第二脉冲宽度的传输控制信号和具有比所述第二脉冲宽度大的第三脉冲宽度的同步控制信号;传输单元,所述传输单元被配置成与所述脉冲信号同步地接收输入信号,以及与所述传输控制信号同步地传输所述输入信号;接收控制单元,所述接收控制单元被配置成响应于所述同步控制信号而产生接收控制信号;以及接收单元,所述接收单元被配置成响应于所述接收控制信号而接收从所述传输单元传输的所述输入信号。
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