[发明专利]一种形成厚度均匀二氧化硅侧墙的方法有效
| 申请号： | 201210204506.5 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102723271A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成厚度均匀二氧化硅侧墙的方法，包括以下步骤：首先，在已形成多个栅极器件的表面沉积一层侧墙氧化层；对形成的侧墙氧化层进行刻蚀，使得沉积过程中形成于器件上栅极之间的封口被打开；在之前形成的侧墙氧化层上沉积一层侧墙氧化层，再次对形成的侧墙氧化层进行刻蚀；重复进行上述侧墙氧化层的沉积和刻蚀过程，直至所形成的侧墙氧化层的厚度达到目标厚度；其中，所述刻蚀选用原位NF3+NH3等离子体刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 厚度 均匀 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种形成厚度均匀二氧化硅侧墙的方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，在已形成多个栅极器件的表面沉积一层侧墙氧化层；对形成的侧墙氧化层进行刻蚀，使得沉积过程中形成于器件上栅极之间的封口被打开；在之前形成的侧墙氧化层上沉积一层侧墙氧化层，再次对形成的侧墙氧化层进行刻蚀；重复进行上述侧墙氧化层的沉积和刻蚀过程，直至所形成的侧墙氧化层的厚度达到目标厚度；其中，所述刻蚀选用原位NF3+NH3等离子体刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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