[发明专利]非晶硅钝化N型背接触电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种非晶硅钝化N型背接触电池及其制备方法，该电池包括N型硅片基体，在N型硅片基体的背面具有P型掺杂层和N型非晶硅层，在P型掺杂层和N型非晶硅层上制作电极。该电池的制备方法：通过掩膜的方式在N型硅片基体的背面扩散形成P型掺杂层，在扩散后的硅片背面开槽，通过掩膜的方式在开槽区域内沉积N型非晶硅层，P型掺杂层和N型非晶硅层构成背接触电池背面的P型发射极和N型背场,P型发射极和N型背场上制作电极。通过在硅片形成N型非晶硅层，利用N型非晶硅层较好的氢钝化效果和场钝化效果，作为背结背接触电池中的电场，提高钝化效果，使电池效率上升明显，使工艺变得简单，提高生产效率。

主权项

一种非晶硅钝化N型背接触电池，包括N型硅片基体(1)，其特征是：在所述的N型硅片基体(1)的背面具有形成P型发射极的P型掺杂层（5）和形成N型背场的N型非晶硅层（4），在P型掺杂层（5）和N型非晶硅层（4）上制作电极。