[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210205642.6 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102738215A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 唐纳徳·迪斯尼 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 提出了一种具有凹陷的源电极接触的横向DMOS及形成横向DMOS的方法。根据本发明实施例的横向DMOS包括凹陷的源电极接触，其中该凹陷的源电极接触包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过横向DMOS的源区并与其体区接触，并且所述凹陷部分与所述源区和所述体区电气耦接。根据本发明实施例的横向DMOS不仅具有较小的尺寸而且生产成本相对低。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体层，具有第一导电类型；体区，位于所述半导体层中，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，并且具有第一掺杂浓度；源区，具有所述的第一导电类型，该源区形成于所述体区中；漏区，具有所述的第一导电类型，该漏区形成于所述半导体层中，与所述源区相分离；栅区，位于所述半导体层的位于所述源区和所述漏区之间的部分上；以及凹陷的源电极接触，包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过所述源区并与所述体区接触，并且所述凹陷部分与所述源区和所述体区电气耦接。
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