[发明专利]修补装置以及修补方法、器件的制造方法无效
| 申请号： | 201210205946.2 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102832155A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 内田练;石川真治 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/00;H01L31/18;H01L51/56;G01R31/00;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 吕晓章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及修补装置、修补方法以及器件的制造方法。一并处理多个电偏置处理，从而更有效地使不合格器件恢复至正常的绝缘状态。在对器件（6）的漏电缺陷部分提供电应力而使漏电缺陷部分的绝缘状态正常化的修补装置（1）中，具有作为电应力源的高压电源（2）、以及将来自被高压电源（2）充电的多个电容器（7）的各电荷应力分别对多个器件（6）一并同时施加的电压施加部件。 | ||
| 搜索关键词： | 修补 装置 以及 方法 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种修补装置，对器件的漏电缺陷部分提供电应力，从而使该漏电缺陷部分的绝缘状态正常化，具有：作为电应力源的电压源；以及电压施加部件，将来自被该电压源充电的一个或者多个电压电容部件的一个或者多个电荷应力施加到一个或者多个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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