[发明专利]一种选择性扩散的实现方式无效
申请号: | 201210205973.X | 申请日: | 2012-06-20 |
公开(公告)号: | CN102751378A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 张学玲 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种选择性扩散的实现方式,先根据电池片表面栅线图形设计模具的图形,使电池片中电极部分对应重扩散区域,对应模具中的凹进区出区域,电极之间为浅扩散区域,对应模具中凸出区域;然后用悬涂机器在表面悬涂含掺杂剂的溶胶凝胶源,用模具压制硅片,压制后,硅片表面悬涂的掺杂源将是凹凸不平的形状,模具中凹进去的部分对应为掺杂较多的地方,为重扩散区,模具中凸出来的部分对应掺杂源较少区域,为浅扩散区,这样就实现图形转移。本发明大大降低了由于网版变形等导致的印刷偏移,提升产线良率,比较容易实现产业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 选择性 扩散 实现 方式 | ||
【主权项】:
一种选择性扩散的实现方式,其特征在于包括以下步骤:1)根据电池片表面栅线图形设计模具的图形;2)清洗硅片,抛光或制绒;3)用悬涂机器在硅片表面悬涂含掺杂剂的扩散源;4)用制作好的模具压制硅片,将模具上的图形转移至硅片表面;5)烘干硅片表面的扩散源;6)硅片进入高温扩散设备进行扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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