[发明专利]导电基板及其制造方法,以及太阳能电池无效
申请号: | 201210206030.9 | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN103187481A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 张加强;吴清吉;苏浚贤;黄导阳 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院;北儒精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种导电基板的制造方法,其包括下列步骤。提供一基板。以一常压等离子工艺于基板上形成具有一第一粗化表面的一阻挡层,其中以常压电压工艺所形成的第一粗化表面的表面粗糙度(Ra)介于10纳米至100纳米之间。以一真空溅镀工艺于阻挡层的第一粗化表面上形成一第一电极层,第一电极层的表面系具有一第二粗化表面,该第二粗化表面的表面粗糙度(Ra)介于10纳米至100纳米之间。此外,更可于第一电极层的第二粗化表面上形成一光电转换层。于光电转换层上形成一第二电极层。本发明另提供一种太阳能电池及导电基板。 | ||
搜索关键词: | 导电 及其 制造 方法 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种导电基板的制造方法,包括:提供一基板;以一常压等离子工艺于该基板上形成具有一第一粗化表面的一阻挡层,其中以该常压电压工艺所形成的该第一粗化表面的表面粗糙度Ra介于10纳米至100纳米之间;以及以一真空溅镀工艺于该阻挡层的该第一粗化表面上形成一第一电极层,该第一电极层的表面系具有一第二粗化表面,该第二粗化表面的表面粗糙度Ra介于10纳米至100纳米之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的