[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210206153.2 申请日: 2012-06-20
公开(公告)号: CN102751341A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 崔艳峰;袁声召;陆中丹 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18;C23C14/08
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种透明导电薄膜(In2O3)x(SnO2)y(WO3)z(ITWO),即在In2O3中掺杂SnO2和WO3制成,In2O3:SnO2:WO3各组分的质量百分比为90~95wt%:4%~9wt%:1%~5wt%。透明导电薄膜采用反应等离子体沉积,磁控溅射或者电子束蒸发的方法制备,靶材采用In2O3:SnO2-WO3混合靶,或者采用ITO和IWO两种靶材共沉积、或者IWO和SnO2两种靶材共沉积。本发明的有益效果是:这种新型的材料既具有ITO的良好的导电性和可见光波段的高透光性,同时又具有IWO的高迁移率和近红外波段的高透光性特点,作为薄膜太阳电池中的窗口层,可以有效地提高电池的短路电流密度,从而提高效率。
搜索关键词: 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种透明导电薄膜,其特征是:在In2O3中掺杂的SnO2和WO3制成。
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