[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201210206153.2 | 申请日: | 2012-06-20 |
公开(公告)号: | CN102751341A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 崔艳峰;袁声召;陆中丹 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;C23C14/08 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种透明导电薄膜(In2O3)x(SnO2)y(WO3)z(ITWO),即在In2O3中掺杂SnO2和WO3制成,In2O3:SnO2:WO3各组分的质量百分比为90~95wt%:4%~9wt%:1%~5wt%。透明导电薄膜采用反应等离子体沉积,磁控溅射或者电子束蒸发的方法制备,靶材采用In2O3:SnO2-WO3混合靶,或者采用ITO和IWO两种靶材共沉积、或者IWO和SnO2两种靶材共沉积。本发明的有益效果是:这种新型的材料既具有ITO的良好的导电性和可见光波段的高透光性,同时又具有IWO的高迁移率和近红外波段的高透光性特点,作为薄膜太阳电池中的窗口层,可以有效地提高电池的短路电流密度,从而提高效率。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电薄膜,其特征是:在In2O3中掺杂的SnO2和WO3制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的