[发明专利]铸锭单晶硅生产方法无效
| 申请号： | 201210206154.7 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102747414A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 叶宏亮;陈雪;黄振飞 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铸锭单晶硅生产方法，该方法在坩埚底部铺一层诱导籽晶块，诱导籽晶块下方垫用于在熔化末期及长晶初期，在拼接区域形成拼接缝隙处温度高于两侧温度的横向温度梯度的散热装置，然后在诱导籽晶块上面装多晶硅料，在熔化的过程保持诱导籽晶块被熔化一定高度，但不能熔化完，然后以单晶诱导的方式向上定向凝固出单晶硅锭。本发明的有益效果是：采用本发明的方法，可以消除诱导籽晶块的缝隙对铸锭单晶整锭晶体质量的影响，得到低缺陷密度的铸锭单晶晶锭，整锭的电池平均光电转换效率提高了0.3%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 铸锭 单晶硅 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种铸锭单晶硅生产方法，其特征是：坩埚（1）底部铺一层诱导籽晶块（2），诱导籽晶块（2）下方垫用于在熔化末期及长晶初期，在拼接区域形成拼接缝隙处温度高于两侧温度的横向温度梯度的散热装置，然后在诱导籽晶块（2）上面装多晶硅料，在熔化的过程保持诱导籽晶块（2）被熔化一定高度，但不能熔化完，然后以单晶诱导的方式向上定向凝固出单晶硅锭。
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