[发明专利]形成CMOS全硅化物金属栅的方法有效
| 申请号： | 201210206306.3 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515319A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种形成CMOS全硅化物金属栅的方法，该方法包括：提供基底；在所述基底上及所述第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极的侧壁上制备电介质层；沉积金属层；在所述第二多晶硅栅极上制备反射层；进行第一次热退火，使所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极部分金属化；去除所述反射层和在第一次热退火过程之后未反应的所述金属层；以及进行第二次热退火，使所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极全部金属化，形成具有不同的金属浓度但相同的高度的第一全硅化物金属栅极和第二全硅化物金属栅极，得到不同功函数金属栅极。该制备工艺简单，有利于降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 cmos 全硅化物 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种形成CMOS全硅化物金属栅的方法，包括：提供基底，所述基底包括第一装置制造区和第二装置制造区，在所述第一装置制造区上形成第一多晶硅栅极，在所述第二装置制造区上形成第二多晶硅栅极；在所述基底上及所述第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极的侧壁上制备电介质层；沉积金属层，以覆盖所述第一多晶硅栅极、第二多晶硅栅极及电介质层；在所述第二多晶硅栅极上制备反射层；进行第一次热退火，所述金属层与所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极反应，使所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极部分金属化；去除所述反射层和在第一次热退火过程之后未反应的所述金属层；以及进行第二次热退火，使所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极全部金属化，以分别形成第一全硅化物金属栅极和第二全硅化物金属栅极，所述第一全硅化物金属栅极和第二全硅化物金属栅极的功函数不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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