[发明专利]一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法。本发明提出的集成阻变存储器的MOS晶体管结构包括在衬底上形成的MOS晶体管和阻变存储器，所述MOS晶体管的栅介质层延伸至所述MOS晶体管的漏区表面之上，所述延伸至MOS晶体管的漏区表面之上的栅介质层部分形成所述阻变存储器的阻变存储层。本发明经过一次原子层淀积工艺来获得高质量的MOS晶体管的栅介质层与阻变存储器的阻变存储层，将阻变存储器与MOS晶体管集成在一起，工艺步骤简单，而且可以兼容浅沟槽隔离工艺或者场氧化层隔离工艺以及源、漏的离子注入或者扩散工艺，便于工艺集成。

主权项

一种集成阻变存储器的场效应晶体管结构，包括：一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的场效应晶体管与阻变存储器；其特征在于，所述的场效应晶体管的栅介质层延伸至所述的场效应晶体管的漏区表面之上；所述的延伸至场效应晶体管的漏区表面之上的栅介质层部分形成所述阻变存储器的阻变存储层。