[发明专利]一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的电子束制备法无效
| 申请号： | 201210206615.0 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102703860A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 门传玲;曹敏;朱德明;曹军;邓闯;张华 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/30;C23C14/58;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法，在真空条件下，将CdS粉末通电加热后采用升华的方式蒸发沉积到衬底上形成CdS薄膜，具体步骤为：选择玻璃、不锈钢金属箔或硅片作为衬底，将其放入50～100℃含有表面活性剂的水溶液中处理2h后，再放入丙酮中超声5～20min，用去离子水中超声10～30min，氮气吹干；将纯度为99.99％的CdS粉末放入蒸发舟或坩埚内并固定于电子束热蒸发设备上，将反应室抽真空至10-3Pa以下，样品衬底温度为20～200℃；控制电流在20～30A之间；蒸发时间为5～15min；在100～400℃温度下和氮气或氦气保护气氛下退火处理1～120min，得到CdS薄膜。本发明具有工艺简单、耗费低、且薄膜更加致密、光滑均匀等优点，拥有更佳的光电性能，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳能电池 缓冲 cds 薄膜 电子束 制备 | ||
【主权项】：
一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法，其特征在于：在真空条件下，将CdS粉通电加热后采用升华的方式蒸发沉积到衬底上形成CdS薄膜，具体步骤如下：A)衬底处理：选择玻璃、不锈钢或者金属箔作为衬底，将其放入50～100℃含有表面活性剂的水溶液中处理2h，再将衬底放在丙酮中超声5～20min，最后在去离子水中超声10～30min，用氮气吹干，放入干燥环境中备用；B)缓冲层CdS薄膜的制备：采用纯度为99.99％的CdS粉末作为蒸镀材料，将其放入蒸发舟或坩埚作为蒸发源固定于电子束热蒸发设备上，将反应室抽真空至10‑3Pa以下,如4×10‑3Pa，样品衬底温度为20～200℃；控制电流在10～30A之间；CdS粉末蒸发沉积速率为0.1～0.3nm∕s，蒸发时间为5～15min；C)退火处理：将步骤B)得到的CdS薄膜在100～400℃温度下和氮气或氦气保护气氛下退火处理1～120min，得到更加致密、均匀且具有更好光电性能的CdS薄膜。
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