[发明专利]超级结MOSFET的元胞结构无效
| 申请号： | 201210206616.5 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103035714A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超级结MOSFET的元胞结构，该结构包括：衬底重掺杂区，位于衬底重掺杂区之上的外延漂移区，位于外延漂移区中水平排布的两个半绝缘柱区；在所述半绝缘柱区之间有栅极沟槽；所述沟槽底部填充浮空栅，浮空栅上为栅极导电多晶硅；所述栅极沟槽内壁与浮空栅和栅极导电多晶硅之间有栅氧化膜；在所述栅极沟槽左右分别与半绝缘柱区之间形成阱区；在阱区上部形成源区；源区和阱区通过接触孔连接电位。本发明解决了传统超级结MOSFET的电流密度低，反向恢复特性不好的问题，同时更好的优化了导通电阻和击穿电压之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
一种超级结MOSFET的元胞结构，其特征在于，该结构包括衬底重掺杂区及第一外延漂移区和第二外延漂移区，其中：衬底重掺杂区之上是第一外延漂移区，第二外延漂移区位于最上层；位于第二外延漂移区中水平排布的两个半绝缘柱区；在所述半绝缘柱区之间具有一栅极沟槽；所述沟槽内底部是浮空栅，浮空栅上为栅极导电多晶硅，所述栅极沟槽内壁与浮空栅和栅极导电多晶硅之间有栅氧化膜；在所述栅极沟槽左右两侧与半绝缘柱区之间的区域形成两阱区，阱区上部为源区；一接触孔将源区和阱区连通引出连接电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210206616.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
