[发明专利]鳍式场效应晶体管栅极氧化物有效
| 申请号： | 201210206726.1 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103094089A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 黄俊程;陈能国;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管栅极氧化物。本公开提供了用于制造半导体器件的方法以及这种器件。一种方法包括：提供包括至少两个隔离部件的衬底；在衬底的上方以及至少两个隔离部件之间形成鳍型衬底；在鳍型衬底的上方形成硅衬垫；以及氧化硅衬垫以在鳍型衬底的上方形成氧化硅衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 栅极 氧化物 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供包括至少两个隔离部件的衬底；在所述衬底的上方以及所述至少两个隔离部件之间形成鳍型衬底；在所述鳍型衬底的上方形成硅衬垫；以及氧化所述硅衬垫以在所述鳍型衬底的上方形成氧化硅衬垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
