[发明专利]一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法有效
| 申请号： | 201210207356.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102716867A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 贺文慧;刘经伟;辛国军;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法，包括如下步骤：(1)配置清洗液：将HF溶液和H2O2溶液进行混合，然后用碱液调节pH值，使其pH值控制在2~5之间，即可得到清洗液；其中，HF和H2O2的摩尔比为1：2~8，清洗液中HF的摩尔浓度为10~40mol/L；(2)将待处理的硅片放入上述清洗液中进行清洗，使清洗后的硅片的方块电阻提升5~10欧姆/sq。本发明开发了一种电池片的清洗方法，利用了氧化和去氧化结合的方法，可以较好地控制反应速度，从而易于控制腐蚀深度；同时，本发明的清洗液不会引入其他金属或有机杂质，反应后硅片表面易于清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳能电池 晶体 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 配置清洗液：将HF溶液和H2O2溶液进行混合，然后用碱液调节pH值，使其pH值控制在2~5之间，即可得到清洗液；其中，HF和H2O2的摩尔比为1：2~8，清洗液中HF的摩尔浓度为10~40 mol/L；(2) 将待处理的硅片放入上述清洗液中进行清洗，使清洗后的硅片的方块电阻提升5~10欧姆/sq；清洗温度为20~25℃，清洗时间为100~200秒。
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