[发明专利]反应腔室、基片加工设备及其温度控制方法在审
| 申请号： | 201210207761.5 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515177A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 文莉辉;王厚工 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室、基片加工设备及温度控制方法，其包括腔室本体、设置于所述腔室本体内的加热单元和支撑单元，所述加热单元用于加热被加工工件，所述支撑单元用于承载被加工工件，其中，所述支撑单元包括铠装热电偶，所述铠装热电偶与所述被加工工件直接接触，用以直接检测被加工工件的温度。上述反应腔室可以直接检测被加工工件的温度，从而可以准确地获得被加工工件的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 加工 设备 及其 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，包括腔室本体、设置于所述腔室本体内的加热单元和支撑单元，所述加热单元用于加热被加工工件，所述支撑单元用于承载被加工工件，其特征在于，所述支撑单元包括铠装热电偶，所述铠装热电偶与所述被加工工件直接接触，用以直接检测被加工工件的温度。
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