[发明专利]具有LDD延伸的FinFET设计有效
| 申请号： | 201210207901.9 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103295904A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 莫亦先;陈筱筑;江木吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成轻掺杂漏极(LDD)延伸的系统和方法。实施例包括在半导体鳍片上形成栅电极以及在栅电极上方形成介电层。然后蚀刻栅电极以暴露出半导体鳍片的一部分。鳍片的暴露部分包括LDD延伸。本发明提供具有LDD延伸的FinFET设计。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ldd 延伸 finfet 设计 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成半导体鳍片；在所述半导体鳍片上方形成具有第一宽度的栅电极；在所述栅电极上方形成具有所述第一宽度的第一介电层；以及减薄所述栅电极至第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210207901.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：粘接带粘贴方法和粘接带粘贴装置
- 下一篇：半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
